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MicroLED关键技术发展方向分析

本文摘要:据近期报告1Q17MicroLED次世代表明技术市场会员报告表明,MicroLED关键技术发展方向涵括四大面向,包括磊晶与芯片技术、移往技术、键结技术(Bonding)、彩色化方案等。移往技术以物理性的捕捉为事例,LuxVue采行利用静电力导电微小组件的方式。而化学性的捕捉以X-Celeprint为代表,利用ElastomerStamp为介质,并且利用凡德瓦力来做到捕捉。 除此之外,还有许多厂商各自研发许多种捕捉方式。

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据近期报告1Q17MicroLED次世代表明技术市场会员报告表明,MicroLED关键技术发展方向涵括四大面向,包括磊晶与芯片技术、移往技术、键结技术(Bonding)、彩色化方案等。移往技术以物理性的捕捉为事例,LuxVue采行利用静电力导电微小组件的方式。而化学性的捕捉以X-Celeprint为代表,利用ElastomerStamp为介质,并且利用凡德瓦力来做到捕捉。

除此之外,还有许多厂商各自研发许多种捕捉方式。薄膜移往的另一项核心技术在于如何去自由选择想捕捉的微米等级的薄膜磊晶,例如多数使用捕捉力量的大小来掌控想挑选的目标,例如前述提及的利用静电力,或是凡德瓦力,并针对想特定捕捉的目标施以有所不同程度的能量来做到自由选择。除此之外,SONY也利用雷射刺穿的方式,来挑选特定的目标目标。

最后,一般用作PCB前将LED芯片内部电路用金线与基板做到相连与电路导通。但是由于MicroLED的芯片过分微小,早已没办法用一般的金属打线方式来与基板融合,因此必须用其他的方式来与基板做到子集。

因此未来的技术发展重点在于拿何种材料来展开黏合与移往。


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